无线通讯是实现5G和IoT时代万物互联的重要技术手段,射频集成电路(RFIC)被广泛应用于信息的收发、处理和控制。据国际权威机构研究，预计今后几年RFIC产业将以约28%年增长率增长。到2020年，全球将进入5G时代，仅智能手机需求就将达60亿部,预期对射频前端芯片需求将呈爆发式增长。CMOS兼容的射频绝缘体上硅（RF-SOI）特色工艺因具有高性能、低成本、低功耗、高集成度等特征，被业界认为是设计制造下一代移动智能终端、 Wi-Fi联接、物联网和高性能通讯设备中射频前端及控制芯片主流技术。欧美企业正在根据市场的需求研发新—代RF-SOI技术，以此建立新的技术垄断。 然而在引进基础上开发的中国自有RF-SOI工艺与国际先进水平相比至少有四年以上差距,至今还没有0.13微米RF-SOI工艺量产。尽管众多芯片厂商（海思，展锐，汉天下）纷纷宣布要开发RF-SOI的前端芯片，但不得不使用国外对中国企业开放的成熟技术，基本上处于简单的跟随模式。离在该领域建立掌握核心技术、自主可控、实现弯道超车的IC产业发展目标有相当差距。同时,国内企业也缺乏高性能RFSOI产品设计经验、先进设计技术与相应IP积累,严重依赖于晶园厂提供的标准工艺和产品设计基础构件，这些通用构件缺乏设计高性能RFIC产品必要的差异化竞争优势，这直接影响了国内RF-SOI产业的竞争力。 本项目意图填补RF-SOI国内产业链的空白，利用本项目团队在国外企业开发RF-SOI工艺和设计工具积累的实战经验，研发世界领先的新―代RF-SOI工艺技术（包括本项目独有的工艺技术改进和新器件设计），打破西方技术垄断，把中国RF-SOI工艺一举推进到国际领先水平。同时将团队在RF-SOI产品设计、设计工具与相应IP研发积累的经验有效地整合成产品创新平台工具包，为本土IC设计企业提供比国际晶园代工厂更好性价比的特色工艺平台和设计工具。并且本项目有完整的工艺技术可持续发展方案来保持国际领先水准、领导RF-SOI的发展方向、成为国际RF-SOI工艺新的风向标。 本项目团队掌握目标领域核心技术,已成功研发世界领先水平RF-SOI特色工艺并实现量产,是全球少有的同时掌握先进RF-SOI工艺研发，器件设计与优化、器件仿真模型构建、PDK研发与产品设计平台建设、RFIC产品设计及相关核心支撑技术等完整产业化know-hows的创业团队。